Diodo fotodetector InGaAs de pequeña área
Diodo fotodetector InGaAs de pequeña área
Como un miembro de los dispositivos de detección electrónica, el diodo fotodetector InGaAs de pequeña área, puede recibir y obtener la información del sistema de comunicaciones de fibra óptica ootras instrumentaciones otros. Nuestro diodo es receptorefectivo, que puede alcanzaruna eficacia de comunicación de hasta 2,5 Gbps. A temperaturasde entre -40℃ a 85℃, puede convertir la señal de láser con longitudde onda desde 850 nm a 1700nm, en señal eléctrica, y supotencia de salida varía de -70 dBm a 6dBm .
El diodo fotodetector,también tiene características de alta sensibilidad, puedecompletar la respuesta dentro de 1ns y la tasa de respuesta es 0.85A / W.Además, la corriente oscura de nuestro producto es de aproximadamente 0.1nA a1nA. Por lo tanto, la interferencia de la señal en la comunicación es pequeña ypuede alcanzar una precisión de recepción de ± 0,25 dB.Puede ser fácilmente conectado en el cable eléctrico y el circuito.
Valores máximos absolutos
| Parámetro | Símbolo | Rango | Unidad | Condición |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40~ 100 | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | Top | -40~ 85 | ℃ | - |
| Voltaje reverso | VR | 30 | V | CW |
| Voltaje reverso PD | VR(PD) | 25 | V |
|
Características ópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Rango de longitud de onda | λ | 850 | - | 1700 | nm | - |
| Rango de energía | P | -70 | - | 6 | dBm | V,=5V,RI=50Ω |
| Corriente obscura | Id | - | 0.1 | 1 | nA | - |
| Capacidad de respuesta | R | - | 0.85 | - | A/W | λ=1310 nm |
| Precisión | - | - | - | ±0.25 | dB | - |
| Capacitancia | Ct | - | - | 5 | Pf | - |
| Tiempo de respuesta | Tr | - | - | 1 | ns | - |
Información de pedido
SCB-S23-42
| S | CB | -S | 2 | 3 | -4 | 2 |
| Modo | Producto | Tipo | Longitud de onda | Pin | Tasa | Conector |
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