Diodo detector WDM integrado InGaAs
Diodo detector WDM InGaAs
El diodo detector WDM integrado InGaAs, es aplicable para receptor óptico de transmisión CATV. Puede obtener la información de la telemetríapor láser de 1310 nm a 1550nm de longitud de onda.Nuestro producto cuenta con la estructura plana del detector de InGaAs PIN. Funcionacorrectamente a temperaturas de -40 ℃ a 80 ℃.
El diodo detector WDM integrado, puede responder a la onda óptica dentro de0.1ns. También tiene una excelente capacidad de anti-interferencia en los aislamientos dereflexión, pérdida de inserción de lareflexión y la pérdida de retorno son de 17 dB, 0,5 dB y 45 dB -. La inserción del conector junto con la onda de reflexión tiene poco impacto sobre la información. Nuestro diodo detectorpuede lograr comunicación a larga distancia cuando se usa junto con el diodoláser. Además, tiene baja corriente oscura de 0.1nA a 0,6 nA y la potencia de saturación es 6dBm.T
Valoresmáximos absolutos
| Parámetro | Símbolo | Condición | Indice | Unidad |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | - | -40~100 | mA |
| Temperatura de funcionamiento | Top | - | -40~85 | V |
| Voltaje reverso | Vr | CW | 30 | V |
| Temperatura de soldadura | - | - | 260 | ℃ |
| Tiempo de soldadura | - | - | 10 | S |
Características ópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Rango de detección | λ | 1310/1490/1550 | nm |
| ||
| Corriente obscura | Id | - | 0.1 | 0.6 | nA | VR=5V，25° |
| Eficiencia cuántica | R | 0.80 | 0.85 | - |
| VR=5V，λ=1550 nm |
| Energía de saturación | P | - | - | 6 | dBm | VR=5V，25°C |
| Reflexión de la pérdida de inserción | IL |
|
| 0.5 | dB | 1310/1490 |
| Grado de aislamiento de la transmisión | - | 30 | - | - | dB | - |
| Grado de aislamiento de la reflexión | - | 17 | - | - | dB | - |
| Tiempo de asecenso y descenso | Tr/Tf | - | 0.1 | - | ns | RL=50Ω |
| Capacitancia | Ct | - | - | 0.75 | pF | VR=5 |
| Pérdida de retorno | R | - | - | -45 | dB |
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