Diodo detector PIN InGaAs de gran área
Diodo detector PIN InGaAs de gran área
El diodo detector PIN InGaAs de gran área es unreceptor láser. Puede recibir la señal del diodo láser y obtener informaciónútil. Utilizamos el InGaAs, un material contecnología de avanzada en nuestro producto. A temperaturas de -40 ℃ a 85 ℃, puede recibir el lásercon una longitud de onda entre 850 nm a 1700nm . Varias pruebas han demostrado, que nuestro producto tiene una altasensibilidad, es decir, nuestra diodo detector puede completar la respuestadentro de 20ns y llegar hasta 0.85uA / W para el láser de 1.310 nm.
La corriente obscura baja, permite el control preciso de la transmisióndel láser y recibe el resultado preciso de la detección. Para diferentessuperficies fotosensibles de 1000um, 2000um y 300um, la corriente oscuracorrespondiente es 10nA, 12nA y 5nA. El diodo detector PIN InGaAs de gran área, es un detector deláser fiable con una precisión de recepción, dentro de 0,1 dB. También se puede utilizar como un medidor depotencia.
Valores máximos absolutos
| Parámetro | Símbolo | Rango | Unidad | Condición |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40~ 100 | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | Top | -40~ 85 | ℃ | - |
| Voltaje reverso | VR | 30 | V | CW |
| Voltaje reverso PD | VR(PD) | 25 | V |
|
Características ópticas yeléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Rango de longitud de onda | λ | 850 | - | 1700 | nm | - |
| Rango de energía | P | -70 | - | 6 | dBm | V,=5V,RI=50Ω |
| -60 |
| 16 |
| |||
| -50 |
| 26 |
| |||
| -40 |
| 36 |
| |||
| Corriente obscura | Id | - | - | 5 | nA | 300μm |
| 10 | 1000μm | |||||
| 12 | 2000μm | |||||
| Capacidad de respuesta | R | -70 | 0.85 | - | A/W | λ=1310 nm |
| -60 | 0.083 | - | ||||
| -50 | 0.012 | - | ||||
| -40 | 0.001 | - | ||||
| Precisión | - | - | - | ±0.1 | dB | - |
| Capacitancia | Ct | - | - | 25 | Pf | - |
| Tiempo de respuesta |
|
