Módulo de diodo detector de cable coaxial InGaAs
Módulo de diodo detector de cable coaxial InGaAs
El módulo de diodo detector de cable coaxial Ingaes, es adecuado para las comunicacionesde RF. Puede recibir el lásercon longitud de onda de entre 1100nm a1650nm y luego identificar con precisión la información útil. Nuestro módulo dediodo puede funcionar correctamente a temperaturas de -40 ℃ a 85 ℃ y tiene una respuestarápida, dentro de 0.1ns. Proveemos tres productosespecíficos, con diferente velocidad de transmisión de 3Gbps, 5 Gbps y 10 Gbps. La baja capacitancia y la corrienteoscura garantizan la emisión y la detección precisa.
Bajo condiciones de trabajo, el cable coaxial módulo de trenzas diododetector tiene una pérdida de retorno de -65dB, evitando así la posibilidad defallo en la transmisión causada por la interferencia. Como un componente detransmisión óptica de bajo consumo de energía, su potencia de saturación es6dBm y la capacitancia de0.75pF.
Nuestro módulo de diodo detector adopta el modode un solo paquete de fibra coaxial,características de tamaño pequeño, sencillo, bajo costo y excelente rendimiento. Y usa un detector InGaAs PIN con alta respuesta y estructuraplana.
En comparación con la estructura de mesa, losalrededores de la unión PN no serán expuestos en la superficie de InGaAs. Por lo tanto, no causarácontaminación de la superficie, fugas y regeneración de corriente para mantenerestabilidad a largo plazo.
Valores máximosabsolutos
| Parámetro | Símbolo | Condición | Indice | Unidad |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | - | -40~100 | mA |
| Temperatura de funcionamiento | Top | - | -40~85 | V |
| Voltaje reverso | Vr | CW | 30 | V |
| Temperatura de soldadura | - | - | 260 | ℃ |
| Tiempo de soldadura | - | - | 10 | S |
Características ópticas y eléctricas
| | | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad | Prueba de condición |
| Rango de detección | λ | 1100 | - | 1650 | nm |
|
| Corriente obscura | Id | - | 0.1 | 1 | nA | VR=5V，25° |
| Eficiencia cuántica | R | 0.85 | 0.9 | - | A/W | VR=5V，λ=1310 nm 3G |
| 0.85 | 0.9 | VR=5V，λ=1310 nm 5G | ||||
| 0.80 | 0.85 | VR=5V，λ=1310 nm 10G | ||||
| Energía de saturación | P | - | - | 6 | dBm | VR=5V，25°C |
| Tiempo de ascenso y descenso | Tr/Tf | - | 0.1 | - | ns | RL=50Ω |
| Capacitancia | Ct | - | - | 0.75 | pF | VR=5 |
| Pérdida de retorno | R | - | - | -45 | dB | 45~860MHz |
| CSO | - | 60 | - | - | dB | 45~860MHz |
| CTB |
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