Diodo láser mariposa 1310nm DFB
Diodo láser mariposa 1310nm DFB
El diodo láser mariposa 1310nm DFB adopta unaalta linealidad, y un chip de alta energía DFB con estructura MQW. A través de la rejilla de DFB, como zona de guía de ondas, nuestro producto utiliza la resonancia causadapor el reflejo de energía fotónica.Algunos de los fotones pueden excitar más fotones, mientras que otrospueden ser emitidos fuera para ser láser con excelente dirección y alta pureza.
La longitud de onda centraldel diodo láser mariposa DFB, puede seropcionalmente de 1300nm a 1320nm, y la anchura espectral de 0,1 nm a 1 nm. Se puede producir con láser estable en el umbral actual de 9 mA a 15 mA. Gracias a la incorporación de un aislador, nuestro producto ofrece una altacapacidad anti-interferenciacon aislamiento óptico y un ratio de 30dB en modo de supresión, lo quesignifica que puede proteger el circuito sensible.
El componente del diodo láser mariposa DFB, adopta un paquete deenfriamiento con armazón 14- pin tipo mariposa, que tiene ciertas ventajas, tales como excelente disipación delcalor , interferencia electromagnética y perfecta hermeticidad. Además, posee el conector FC o APC de modo sencillo, paralograr una mayor pérdida de reflexión y baja pérdida de inserción. Nuestroproducto es especialmente adecuado para CATV hacia el camino que requiere lapérdida de retorno elevada, que puede reducir el impacto de la reflexión de luz
CATVde trayectoria directa, requiereelevada pérdida de retorno, reduciendoel impacto de la reflexión de luz a la fuente de luz y todo el sistema. Nuestrodiodo láser mariposa también se puede aplicar en la emisión 1310 o 1550 yaplicaciones punto a punto.
Valoresmáximos absolutos
| Parámetro | Símbolo | Condición | Mín. | Máx. | Unidad |
| Temperatura de funcionamiento | T c | I=Iop | -20 | 100 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | T stg | - | -40 | 85 | °C |
| Corriente del láser
| I f | - | - | 120 | mA |
| Polarización inversa | V r | - | - | 2 | V |
| Polarización inversa del fotodiodo | V rpd | - | - | 10 | V |
| TEC Actual | I tec | -20 °C < Tc < 65 °C, Top=25 °C If=100 mA | - | 1.5 | A |
| Temperatura principal de soldadura
| - | - | - | 260 | °C |
| Tiempo principal de soldadura | - | - | - | 10 | S |
| radio de curvatura de la fibra | - | - | 30 | - | mm |
| Rendimiento de resistencia de la fibra | - | - | - | 1 | kgf |
Característicasópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| Centro de longitud de onda
| λ c | CW | 1300 | 1310 | 1320 | nm |
| Ancho de espectro (-20 dB) | Δλ | CW | - | 0.1 | 1.0 | nm |
| Energía óptica de salida* | P o | CW, T L =25 °C | 2 | - | 28 | mW |
| Aislamiento óptico
| I S | T=25 °C | 30 | - | - | dB |
| Tasa de supresión en modo lateral | SMSR | CW | 30 | - | - | dB |
| Umbral de corriente | I th | T L =25 °C | - | 9 | 15 | mA |
| Corriente de funcionamiento | I op | CW | - | - | 120 | mA |
| Voltaje directo | V F | CW | - | 1.2 | 2.0 | V |
| Corriente del monitor | I mon | V rpd =5 V | 100 | - | 1500 | μ A |
| Corriente obscura del monitor | I D | V rpd =5 V | - | - | 100 | nA |
| Temperatura de funcionamiento | T | - | -20 | - | 60 | °C |
| Seguimiento de error | γ | TE=10log(Po(Tc )/Po(25°C) | -0.5 | - | 0.5 | dB |
| Resistencia del termisor | R t | T=25 °C | 9.5 | - | 10.5 | K Ω |
| TEC presente | I C | ΔΤ =40°C | - | - | 1.0 | A |
| Voltaje de TEC | V C | ΔΤ =40°C | - | - | 2.0 | V |
| Tasa de transporte de ruido | CNR | 84 CH, PAL | 51 | - | - | dB |
| Combinación de Segundo orden | CSO | 84 CH, PAL | - | -60 | -57 |
|
