Detector de pulso APD InGaAs para OTDR
Detector de pulso APD InGaAs para OTDR
El detector de pulso APD InGaAs para OTDR, puedeutilizarse como un medidor de reflejo óptico en el sistema OTDR y otra sonda dedetección. Mediante la conversión de una pequeña señal óptica reflejada a señaleléctrica, con un factor de multiplicación de 30 a 40, losusuarios pueden obtener la longitud de la fibra óptica y la localización de lospuntos de ruptura. Atemperaturas entre -40 ℃ a 85 ℃ , puede recibir el pulso de luz con una longitud deonda entre 1310 nm a 1550 nm, con una velocidad detransferencia de 3 Gbps.
Nuestro detector de pulso APD, viene con un módulo coaxial, que dispone defibra monomodo. Tienerespuesta de alta velocidad; es decir, la responsividad es de 0,8 para los pulsos de láser deA / W para 0.9A / W para la 1310nm y 0.81A / W para 0.96A / W para 1550nm. Adicionalmente, nuestro producto,proporciona una area de30um y una baja corriente obscura de 5nA a 25nA, multiplicando la corrienteobscura de 1nA a 5nA. El detector APD, también cuenta con una alta eficiencia cuántica y pequeña capacitancia terminal.
Con una pérdida de retorno de 30 dB, nuestro detector es invulnerable a la no transmisión dela señal. Así, se puede garantizar la fiabilidad de la información.
Valores máximos absolutos
|
|
| Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| Corriente directa | IF |
|
| 10 | mA |
| Corriente reversa | IR |
|
| 0.5 | mA |
| Temperatura de funcionamiento. | TC | -40 |
| 85 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -40 |
| 85 | °C |
| Temperatura principal de soldadura | TSOL | - |
| 260(10s) | °C |
| Humedad relativa | RH | -40 |
| 85 | % |
Característicasópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típica. | Máx. | Undadt | Notas |
| Voltaje inverso de ruptura, | VBR | 50 | 70 | 100 | V | ID = 100 μA |
| Coeficiente de temperatura y voltaje inverso de ruptura Voltage1 | δ |
| 0.2 |
| %/°C |
|
| Corriente obscura | ID |
| 5 | 25 | nA | VR = VBR x 0.9 |
| Corriente obscura | IDM |
| 1 | 5 | nA | M = 2 to 10 |
| Capacitancia terminal | Ct |
| 0.35 | 0.60 | pF | VR = VBR x 0.9, f = 1 MHz |
| Frecuencia de corte | fC | 2.5 |
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